台积电引入High-NA EUV，加速先进工艺研发，2027年A14量产在即

台积电接收了首台High-NA EUV光刻机，用于先进工艺研发，并与ASML协议降价近20%。台积电3nm产能需求旺盛，考虑扩大2nm产能，加速High-NA EUV光刻机部署。预计2027年A14工艺量产，需进行广泛测试。台积电技术领先，有望吸引更多高端客户，与竞争对手如三星差距扩大。台积电以客户为中心，系统化评估新技术。

台积电引入High-NA EUV技术，加速先进工艺研发，2027年A14量产在即

随着科技日新月异，半导体行业正面临着前所未有的挑战和机遇。在众多半导体制造巨头中，台积电（TSMC）凭借其领先的工艺技术和强大的市场竞争力，始终处于行业前端。近期，台积电成功引入High-NA EUV光刻机，这不仅标志着台积电在先进工艺研发上的加速，也为2027年A14芯片的量产奠定了坚实基础。

一、台积电引入High-NA EUV光刻机，满足先进工艺开发需求

今年9月，台积电从荷兰光刻机制造商ASML手中接收了其首台High-NA EUV光刻机，并已将其移送至全球研发中心进行研究。这一举措旨在满足A14等未来先进工艺的开发需求，进一步提升台积电在全球半导体市场的竞争力。

据悉，台积电董事长兼首席执行官魏哲家亲自与ASML谈判，通过购买新设备和出售旧型号相结合的方式，将整体价格降低了近20%。这一协议的达成，既体现了台积电在技术上的自信，也彰显了其在全球供应链中的话语权。

二、3nm产能需求旺盛，台积电考虑扩大2nm产能

近年来，随着人工智能、5G等技术的快速发展，对高性能芯片的需求日益增长。台积电3nm产能需求旺盛，大量客户下单使得产能处于满载状态。同时，即将到来的2nm工艺也受到了客户的欢迎。

面对市场需求，台积电正在考虑继续扩大2nm产能，以满足以AI芯片为首的增长需求。随着人工智能业务的快速发展，台积电加快了High-NA EUV光刻机的部署，以便更早地熟悉新技术。

三、High-NA EUV光刻机助力A14芯片量产，预计2027年投产

根据台积电的路线图，High-NA EUV光刻机将集成到A14工艺中，预计2027年进入量产阶段。在此之前，台积电需要进行广泛的测试、微调和流程，以适应1nm阶段的制程工艺。

值得一提的是，High-NA EUV光刻机的价格高达3.84亿美元，但台积电在技术上的领先有望吸引更多寻找先进芯片制造能力的高端客户。

四、台积电在High-NA EUV时代领先，与竞争对手差距扩大

有分析师表示，加快High-NA EUV技术的开发可能会扩大台积电与竞争对手之间的差距，尤其是三星。台积电在2019年推出了N7+工艺，首次使用了EUV光刻机，当时大概有10台。随后，台积电迅速扩大了EUV光刻技术的应用，并购买了更多的设备，EUV光刻机的销量从2019年至2023年增长了10倍，而台积电占据了其中56%的装机量。

五、台积电以客户为中心，系统化推进High-NA EUV技术

在将新技术集成到大批量生产之前，台积电会根据新技术的成熟度、成本和潜在客户利益进行仔细评估。这种系统化、以客户为中心的方法，在High-NA EUV时代依然如此。

台积电引入High-NA EUV光刻机，加速了先进工艺的研发，为2027年A14芯片的量产奠定了坚实基础。在市场竞争日益激烈的半导体行业，台积电凭借其领先的技术和强大的市场竞争力，有望继续保持行业领先地位。同时，台积电以客户为中心的系统化推进High-NA EUV技术，也将为全球半导体产业的发展注入新的活力。